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砷化鎵/氮化鎵/InP/ZnSe等

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鈮酸鋰單晶/鈮酸鋰晶體

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產品型號/尺寸:
最小起訂量:25
關注度:397
產品詳情

鈮酸鋰具有良好的非線性光學性質,可用作光波導材料,或用于制作中低頻聲表濾波器、大功率耐高溫超聲換能器等。鈮酸鋰摻雜技術如今被廣泛應用。Mg:LN提高抗激光損傷閾值,優化在非線性光學領域的應用;Nd:Mg:LN晶體可實現自倍頻效應;Fe:LN晶體可用于光學體全息存儲。



鈮 酸 鋰 / 鉭 酸 鋰 晶 片

Lithium Niobate / Lithium Tantalae Wafers








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鈮酸鋰具有良好的非線性光學性質,可用作光波導材料,或用于制作中低頻聲表濾波器、大功率耐高溫超聲換能器等。鈮酸鋰摻雜技術如今被廣泛應用。Mg:LN 提高抗激光損傷閾值,優化在非線性光學領域的應用;Nd:Mg:LN 晶體可實現自倍頻效應;Fe:LN 晶體可用于光學體全息存儲。鉭酸鋰具有優良的壓電、鐵電、聲光及電光效應,廣泛用于諧振器、濾波器、換能器等電子通訊器件,及高頻聲表面波器件。

Lithium Niobate has good nonlinear optical properties and can be used as optical waveguide material, or to produce medium and low frequency SAW filter, high power high temperature resistant ultrasonic transducer, etc. Lithium niobate doping is now widely used, such as Mg:LN, Nd:Mg:LN, Fe:LN. Lithium Tantalate has good piezoelectric, ferroelectric, acousto-optic and electro-optic effects. It is widely used in resonators, filters, transducers, as well as high-frequency surface acoustic wave devices.

 

材料特性 Material Characteristics


Material 材料

3" 4" 6" 8" LN wafer Saw/Optical grade

鈮酸鋰晶片(聲表級/光學級)

3" 4" 6" LT wafer Saw/Optical grade

鉭酸鋰晶片(聲表級/光學級)

Orientation 切型

X/Z/Y41°/Y64°/Y128°/YZ/YX or Customized 可定制

X112°/Y28°/Y36°/Y42°/YZ or Customized 可定制

Curie Temp 居里溫度

1142°C±3°C

605°C±3°C

Doped with 摻雜

Zn, MgO single or double doped available

Fe

Single Domain 單籌

Completed Polarization/Reducted 完成極化/黑化

 

 

加工能力 processing capacity

Surface finish 表面處理

single or   double sides polish   (DLP/SLP/ SSP/DSP all available )      單面拋光/雙面拋光/單面研磨/雙面研磨

Thickness 厚度

0.18/0.25/0.35/0.50/1.00 + mm

0.25/0.35/0.50/1.00+mm

TTV

< 1~5μm

BOW

± (25μm ~40um )

Warp

<= 35μm

LTV (5mmx5mm)

<1.5 um

PLTV(<0.5um)

≥98% (5mm*5mm) with 2mm edge excluded

Edge 邊緣

Compl't with SEMI M1.2@with GC800# .regular at C typed

Orientation flats 定向平臺

available, per request 根據要求定制

Polished side Ra 拋光面

Roughness Ra<=5A

Back Side Criteria 反面

Roughness Ra:0.5-1.0μm GC#1000

Edge Rounding 倒角

Compliant with SEMI M1.2 Standard/refer to IEC62276

Cracks, saw marks, stains

None




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