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砷化鎵/氮化鎵/InP/ZnSe等

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鍺襯底晶圓
鍺窗口
鍺單晶

鍺襯底晶片鍺窗口材料

產品材質:
產品型號/尺寸:
最小起訂量:5
關注度:289
產品詳情

鍺襯底晶片 

鍺單晶片是重要的半導體襯底材料,有著良好的半導體性質,如電子遷移率、空穴遷移率等等。主要用于地面聚光光伏電站(CPV)、空間太陽能電池板以及超高亮度的LED襯底材料。

鑫科匯可提供低位錯或零位錯錯襯底,規格包括2英寸、3英寸、4英寸和6英寸。亦可根據客戶需求,定制非標厚度和晶向的Ge襯底。


單位                                  半導體型 規格
導電類型
n型p型
晶體生長方式
CZ/VGF
摻雜
SbGa
尺寸inch2",   3", 4" and 6"2",   3",4" and 6"
晶向*
(100)±0.5°(100)±0.5°
OF/IF
US,   EJ                            US.EJ
電阻率(室溫)ohm.cm0.002-40                      0.002-0.005
位錯密度(EPD)/cm2-                          ≤300
激光打標
按客戶要求定制
成品厚度*um(175-500)±25
TTV平整度μm≤15≤15
翹曲度um≤25                            ≤25
主面/背面Sidel拋光
拋光
Side2腐蝕/Grinding
腐蝕/Grinding

開盒即用
包裝單片盒或多片盒



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