鑫科匯新材料半絕緣碳化硅襯底常備規格：

2英寸半絕緣碳化硅襯底

4英寸半絕緣碳化硅襯底

6英寸半絕緣碳化硅襯底

另外也有常規導電性碳化硅襯底，P型和N型碳化硅，尺寸齊全。價格實惠，歡迎咨詢。

襯底是所有半導體芯片的底層材料，主要起到物理支撐、導熱及導電作用。碳化硅是制作高溫、高頻、大功率、高壓器件的理想材料之一，以SiC為襯底制成的半導體器件，可以更好滿足高溫、高壓、大功率等條件下的應用需求。

碳化硅襯底根據電阻率可分為導電型、半絕緣型。

一，導電性碳化硅的應用：

導電型碳化硅器件主要用于電動汽車、光伏發電、軌道交通、數據中心、充電等基礎建設。電動汽車行業對導電型碳化硅襯底需求空間巨大，目前特斯拉、比亞迪、蔚來、小鵬等新能源車企已經計劃使用碳化硅分立器件或模塊。

二：半絕緣碳化硅的應用：

半絕緣碳化硅器件主要用于5G通信、車載通信、國防應用、數據傳輸、航空航天等領域。通過在半絕緣型碳化硅襯底上生長氮化鎵外延層制得碳化硅基氮化鎵外延片，可進一步制成微波射頻器件，主要應用于射頻領域，例如5G通訊中的功率放大器和國防中的無線電探測器。

碳化硅襯底產品的制造涉及設備研制、原料合成、晶體生長、晶體切割、晶片加工、清洗檢測等諸多環節，在原料方面，嵩山硼業面向市場提供碳化硅原材料，目前已實現小批量銷售。以碳化硅為代表的第三代半導體材料在現代工業中發揮關鍵作用，隨著新能源汽車及光伏應用滲透加速，碳化硅襯底需求即將迎來拐點。