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?我們知道YAG是激光晶體的主要材料，不同的YAG晶體具有不同的特性，本文將為您詳細解析不同的摻雜YAG的應(yīng)用。一般的激光晶體都是YAG材料，叫釔鋁石榴石。作為工業(yè)上使用較多的都是高摻釔鋁石榴石，也就是說摻入不同的元素來達到不同的效果；作為工業(yè)激光，關(guān)注以下性能：1、在相同的輸入功率下，生熱量低2、棒體打磨，特別是
?一直以來，硅晶圓都是我國半導體產(chǎn)業(yè)鏈的一大短板，目前國內(nèi)企業(yè)還只能生產(chǎn)6英寸和8英寸的硅片，至于12英寸硅片，基本處于空白。說到硅片的尺寸，相信很多人都會一臉疑惑，到底什么是6英寸，8英寸，12英寸？它們之間有何區(qū)別？接下來就給各位詳細講解一下關(guān)于硅晶圓的一些基礎(chǔ)知識，保證小白都能看懂！1、科普篇先來看看下面
?市場認為國內(nèi)硅晶圓會過度投資，我們認為國內(nèi)硅晶圓產(chǎn)業(yè)起點低、起步晚，且長 晶技術(shù)是決定硅片參數(shù)的核心環(huán)節(jié)，主要體現(xiàn)在爐內(nèi)溫度的熱場和控制晶體形狀的 磁場設(shè)計能力。硅拋光晶圓的主要技術(shù)指標包括直徑、晶體工藝、摻雜劑、晶向、電阻 率、厚度等，其他質(zhì)量指標包括缺陷密度、氧含量、碳含量、翹曲度等，其中大部分參
?來源：《半導體芯科技》雜志作者：Andrea Kneidinger,EV Group數(shù)據(jù)中心、電信網(wǎng)絡(luò)、傳感器和用于人工智能高級計算中的新興應(yīng)用，對于低功耗和低延遲的高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)男枨蟪尸F(xiàn)出指數(shù)級增長。我們比以往任何時候都更加依賴這些應(yīng)用來確保這個世界更安全、更高效。在所有這些市場中，硅光子學(SiPh)在實現(xiàn)超高帶寬性能方面發(fā)揮
?什么事CZT晶體：CZT，中文名叫“碲鋅鎘”，英文名叫“Cadmium-Zinc-Telluride (CdZnTe)”，是CdTe和ZnTe固溶而成的寬禁帶II-VI族化合物半導體晶體。晦澀的化學式少扯，CZT晶體究竟有啥大本領(lǐng)？神奇本領(lǐng)1：CZT是唯一能在室溫狀態(tài)下工作，并且能在每秒每平方毫米面積上處理百萬到千萬級個光子的半導體，其靈敏度可以達到極限，
?硫系玻璃無論在中波還是長波紅外光學系統(tǒng)中都是十分常見的材料。一、硫系玻璃介紹紅外光學系統(tǒng)通常采用晶體材料，如ZnS、Si、GaAs、Ge、ZnSe等，晶體材料的紅外透鏡通常價格昂貴。硫系玻璃作為一種新型紅外透鏡材料，以第Ⅵ主族的S、Se、Te為主要成分，結(jié)合As、Ge、P、Sb、Al、Si等元素化合形成玻璃態(tài)物質(zhì)；另外，還可以引入
?Acceptor - An element, such as boron, indium, and gallium used to create a free hole in a semiconductor. The acceptor atoms are required to have one less valence electron than the semiconductor.受主 - 一種用來在半導體中形成空穴的元素，比如硼、銦和鎵。受主原子必須比半導體元素少一價電子Alignment Preci
?在過去五十多年中，從肖克萊等人發(fā)明**個晶體管到超大規(guī)模集成電路出現(xiàn)，硅半導體工藝取得了一系列重大突破，使得以硅材料為主體的CMOS集成電路制造技術(shù)為主流，逐漸成為性能價格比**異、應(yīng)用最廣泛的集成電路產(chǎn)業(yè)。如果說在亞微米/深亞微米(Sub-Micron)時代，器件的主要bottleneck在熱載流子效應(yīng)(HCE: Hot Carrier Eff
?為何SOI在射頻類芯片中超受歡迎？寄生電容小；集成密度高；速度快什么是SOISOI全稱為Silicon-On-Insulator，即絕緣襯底上的硅，該技術(shù)是在頂層硅和背襯底之間引入了一層埋氧化層。原理就是在硅晶體管之間，加入絕緣體物質(zhì)，可使兩者之間的寄生電容比原來的少上一倍。形成SOI材料的技術(shù)有以下3類：注入氧分離技術(shù)（Separatio
?石英玻璃以其優(yōu)良的理化性能，被大量廣泛用于半導體技術(shù)，新型電光源，彩電熒光粉生產(chǎn)，化工過程，超高電壓收塵、遠紅外輻射加熱設(shè)備、航空航天技術(shù)、某些武器及光學儀器的光學系統(tǒng)、原子能技術(shù)、浮法玻璃及元堿玻璃窖的耐火材料，特種玻璃用坩堝，儀器玻璃成型部料碗，紫外線殺菌燈，各種有色金屬的生產(chǎn)等諸多領(lǐng)域。石英玻
?作者：華碧實驗室劉工鏈接：https://www.zhihu.com/question/52782981/answer/3166316698來源：知乎著作權(quán)歸作者所有。商業(yè)轉(zhuǎn)載請聯(lián)系作者獲得授權(quán)，非商業(yè)轉(zhuǎn)載請注明出處。第三代半導體 SiC 因禁帶寬、熱導率高等優(yōu)異性能得到廣泛關(guān)注，SiC 功率器件也成為學術(shù)界和工業(yè) 界 的 研 究 熱 點 。從 SiC 材 料 性 質(zhì) 出 發(fā) ，歸
?藍寶石是氧化鋁的單晶，屬三方晶系、六方結(jié)構(gòu)，其晶體結(jié)構(gòu)是由三個氧原子和兩個鋁原子以共價鍵型式結(jié)合而成，排列十分緊密，具有較強的結(jié)合鏈和晶格能量，同時其晶體內(nèi)部幾乎沒有雜質(zhì)或缺陷，因此具有出色的電絕緣性、透明度、良好的導熱性和高剛性特性，廣泛用作光學窗口及高性能基板材料。不過藍寶石分子結(jié)構(gòu)復雜且存在各
?近日，中國科學院上海微系統(tǒng)所魏星研究員團隊宣布，他們在300 mm SOI晶圓制造技術(shù)方面取得了突破性進展，制備出了國內(nèi)**片300 mm射頻（RF）SOI晶圓。這一成就標志著我國在射頻SOI晶圓制造領(lǐng)域取得了重要的技術(shù)突破，為未來的通信、雷達等應(yīng)用領(lǐng)域提供了強有力的技術(shù)支持。射頻SOI（Silicon-On-Insulator）是一種將硅膜層沉
?2024年2月17日，陰歷正月初八，鑫科匯正式開工啦！ 感謝所有鑫科匯的客戶朋友們再過去的一年了對鑫科匯給予的支持和幫助，過去的這一年是鑫科匯新材料有限公司的開局之年，這一年里我們收到了數(shù)以千計的客戶詢盤，這些客戶涵蓋了荷蘭，德國，新西蘭，美國，印度，日本，韓國，越南
?在半導體制造中，硅片常使用100晶向的取向，這是因為100晶向具有以下優(yōu)勢和適用性：1. 基礎(chǔ)晶體結(jié)構(gòu)：硅的晶體結(jié)構(gòu)是面心立方（FCC），其中(100)晶向是最密堆積的晶面。這意味著(100)晶向的硅片在晶格結(jié)構(gòu)上具有較高的平坦度和晶格參數(shù)的一致性，使其更適合用作半導體器件的基板材料。2. 制造工藝優(yōu)勢：(100)晶向的硅片在制
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上海鑫科匯新材料有限公司主要產(chǎn)品包括藍寶石晶圓、襯底、晶棒、窗口材料，碳化硅晶圓、襯底，鍺窗口材料，硅晶圓、硅錠以及莫桑料，K9玻璃材料，砷化鎵，氮化鎵,SOI材料等。公司擁有兩個生產(chǎn)基地并和國內(nèi)多家供應(yīng)商保持良好的供應(yīng)關(guān)系，供應(yīng)鏈穩(wěn)定，質(zhì)量保障，量大價優(yōu)。歡迎新來客戶咨詢。
